د NPM

د محصولاتو اندازه (ملي میتر)

د فریکونسي سمون فکتور

د YMIN NPM لړۍ: د لوړ پای بریښنایی وسیلو لپاره د کپیسیټر فعالیت محدودیتونه بیا تعریف کول

په لوړ پوړو برخو لکه 5G مخابراتو، فضايي، او طبي الکترونیکي توکو کې، د دودیزو الکترولیټیک کاپسیټرونو عمر او ثبات د سیسټم خنډونه ګرځیدلي دي. د YMIN د NPM لړۍ د کنډکټیو پولیمر المونیم جامد الکترولیټیک کاپسیټرونه، د نړۍ ترټولو کوچنی قطر 3.55 ملي میتر، د نظامي درجې عملیاتي تودوخې حد -55 ° C څخه تر 105 ° C پورې، او په 100kHz کې خورا ټیټ ESR، د راتلونکي نسل لوړ کثافت بریښنایی ډیزاینونو لپاره یو نوی معیار ټاکي.

I. ګډوډونکي ټیکنالوژیکي پرمختګونه

۱. د نانوسکل کنډکټیو پولیمر ټیکنالوژي
• انقلابي لوړ فریکونسي فعالیت:

د دودیزو الکترولیتونو د ځای په ځای کولو لپاره د نانو پیمانه کنډکټیو پولیمرونو په کارولو سره، کیپسیټرونه په 100kHz (6.3V/270μF ماډل) کې تر 0.015Ω پورې ټیټ ESR ترلاسه کوي، چې د مایع الیکټرولیټیک کیپسیټرونو په پرتله د انرژۍ مصرف 80٪ کموي. د لوړ فریکونسۍ ریپل اوسني جذب ظرفیت پنځه چنده زیات شوی، چې د بریښنا رسولو بدلولو کې د هم ستونزه په بشپړه توګه له منځه وړي.

• د ځان درملنې خوندیتوب میکانیزم:

د ډیر ولټاژ په صورت کې، د پولیمر مالیکولر زنځیرونه بیا تنظیم کیږي ترڅو د ځان درملنې طبقه جوړه کړي، د مایع کپیسیټر الیکټرولیټ د کمیدو له امله د چاودنې خطر کموي. د IEC 60384-24 معیارونو سره سم تایید شوی، د لنډ سرکټ ناکامۍ کچه له 0.001ppm څخه کمه ده.

۲. د سختو چاپیریالونو سره تطابق

• د تودوخې پراخه لړۍ، پوځي معیار:

د -۵۵ درجو سانتي ګراد په ټیټه تودوخه کې د پیل کولو په وخت کې د خنډ بدلون ≤۷.۲x دی (د صنعت اوسط ۱۵x)، او د ۲۰۰۰ ساعتونو لپاره په ۱۰۵ درجو سانتي ګراد کې د ګړندي عمر وروسته د ظرفیت تخریب ≤۸٪ دی. • دوه ګونی محافظت جوړښت:

• د ویکیوم پوټینګ پروسه د لوړ رطوبت چاپیریال تر 98٪ RH پورې مقاومت کوي (د 60 ° C / 1000h ازموینې وروسته د ESR زیاتوالی ≤ 35٪).

• د المونیم شیل-پولیمر مرکب تودوخې سنک طبقه د تودوخې چالکتیا 8.3W/mK ته لوړوي.

۳. ریکارډ ماتونکی کوچنی کول

• د نړۍ تر ټولو کوچنی اړخ نسبت ۳.۵۵×۱۱ ملي متره:

د Φ3.55mm فوټ پرنټ دننه د 220μF ظرفیت (6.3V) ترلاسه کول، د دودیز SMD کڅوړو په پرتله 78٪ ځای خوندي کوي. پنونه د 0.4mm الټرا پتلي سرو زرو پوښل شوي مسو تار کاروي، د 20G میخانیکي شاک ازموینې (MIL-STD-883H) څخه تیریږي.

• د درې بعدي سټېک کولو پروسه:

د انوډیز شوي المونیم ورق د نانو ایچنګ ټیکنالوژۍ سره درملنه کیږي، چې په پایله کې یې د سطحې اغیزمنه ساحه 120m²/g ده، چې د دودیزو پروسو په پرتله د ظرفیت کثافت 300٪ زیاتوي.

II. د اصلي تخنیکي پیرامیټرو تحلیل

۱. د لوړ فریکونسۍ ضایع کولو ماډل

P_{ضرر} = I_{rms}^2 × ESR_{100kHz} + (2πfC)^2 × ESL^2

کله چې f > 100kHz وي، د ESL اغیز د دودیزو کپیسیټرونو په پرتله 1/6 ته راټیټیږي. د مثال په توګه د 50V/22μF ماډل اخیستل:
• په ۵۰۰ کلو هرټز کې د ۹۸.۳٪ اغیزمن ظرفیت ساتنه

• د څپې د جریان د لیږد ظرفیت د صنعت معیار څخه 2.8 ځله دی

۲. د چاپیریال د تطبیق وړتیا میټریکس
د فشار شرایط د ازموینې معیارونه د NPM فعالیت صنعت اوسط

د تودوخې دوره (-۵۵ درجو سانتي ګراد څخه تر ۱۰۵ درجو سانتي ګراد پورې) MIL-STD-202G ΔC/C ≤ ±۵٪ ±۱۵٪

میخانیکي وایبریشن (۱۰-۲۰۰۰ هرټز) GJB۱۵۰.۱۶A د غږ نقطه بې ځایه کېدل <۰.۱ ملي میتر ۰.۳ ملي میتر

د مالګې سپری زنګ وهل (۹۶ ساعته) IEC ۶۰۰۶۸-۲-۱۱ د سر زنګ وهلو ساحه <۲٪ ۸٪

۳. د ژوند چټک ماډل

د ارینیوس قانون پر بنسټ اخیستل شوی:

L_{اصلي} = L_{ازموینه} × 2^{(T_{ازموینه} - T_{حقیقي})/10}

د ۱۰۵ درجو سانتي ګراد/۲۰۰۰ ساعته ازموینه په ۲۵ درجو سانتي ګراد کې د ۱۲۸،۰۰۰ ساعتونو (≈۱۵ کلونو) معادل عمر ورکوي.

ولې د NPM لړۍ غوره کړئ؟

کله چې ستاسو ډیزاین مخ شي:

✅ د لوړ فریکونسۍ سرکټونو کې د کپاسیټر واین
✅ د تودوخې د سختو توپیرونو له امله د سیسټم ناکامي
✅ کوچنی کول او لوړ اعتبار په یو وخت کې نشي ترلاسه کیدی
✅ د لسو کلونو څخه زیات د ساتنې څخه پاک عملیات اړین دي

د YMIN NPM لړۍ، د خپل پوځي درجې اعتبار، ریکارډ ماتونکي کوچني کولو، او الټرا وایډ تودوخې تطابق سره، د لوړ پای بریښنایی ډیزاین بنسټ ګرځیدلی. د 6.3V/270μF څخه تر 100V/4.7μF پورې د بشپړ ولټاژ پوښښ وړاندې کول، ملاتړ کوي:

• د پیرامیټر اصلاح کول (±5٪ د ظرفیت دقت)

• د بستې بیا تنظیمول (د درې بعدي سټکینګ غیر متجانس ادغام)

• ګډ تایید (د چاپیریال د تطبیق ازموینه)